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onsemi SiC MOSFET NTBG014N120M3P

2026-01-04 09:09:06

Onsemi的NTBG014N120M3P是第三代1200V EliteSiC溝槽MOSFET，采用D2PAK-7L封裝，具有14mΩ超低導(dǎo)通電阻（25°C時(shí)150A連續(xù)電流），專(zhuān)為高頻高效設(shè)計(jì)，開(kāi)關(guān)損耗僅1.95mJ（開(kāi)通1331μJ/關(guān)斷620μJ），柵極電荷377nC，支持40kHz以上開(kāi)關(guān)頻率；其優(yōu)勢(shì)包括：175°C高溫下導(dǎo)通電阻29mΩ、418mJ單脈沖雪崩能量、0.23°C/W超低熱阻，工作結(jié)溫-55~175°C，兼容標(biāo)準(zhǔn)SiC驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、EV快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)等高壓高效場(chǎng)景。

DEI1022/1023/1024/1025 ARINC429線路驅(qū)動(dòng)器Device Engineering

2025-12-30 08:59:32

DEI1022/23/24/25 系列是“即插即用”的 ARINC 429 線路驅(qū)動(dòng)器，只需一枚電容即可設(shè)定速率，提供四種輸出阻抗/保護(hù)組合，讓航空數(shù)據(jù)總線接口設(shè)計(jì)更小、更輕、更可靠。

Ampleon CLP24H4S30P：2.4GHz頻段66%超高效率GaN-SiC功率晶體管

2025-12-29 09:24:47

Ampleon CLP24H4S30P是一款采用GaN-on-SiC HEMT技術(shù)的30W高效功率晶體管，工作頻段為2.4-2.5GHz ISM頻段，專(zhuān)為連續(xù)波（CW）應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品適用于工業(yè)加熱/干燥系統(tǒng)、商用/家用微波設(shè)備、醫(yī)療治療設(shè)備及科研儀器等領(lǐng)域。

Rogers羅杰斯RO3203、RO3206、RO3210材料規(guī)格

2025-12-29 09:22:01

Rogers羅杰斯RO3203、RO3206和RO3210高頻PCB電路材料采用陶瓷填料層并由玻璃編織布加固，開(kāi)發(fā)目的是以有競(jìng)爭(zhēng)力價(jià)格提供卓越電氣和機(jī)械穩(wěn)定性，其作為RO3000系列高頻材料延伸，特點(diǎn)是更好機(jī)械穩(wěn)定性，還介紹了它們的各項(xiàng)性能參數(shù)、標(biāo)準(zhǔn)厚度、標(biāo)準(zhǔn)面板尺寸、標(biāo)準(zhǔn)銅箔覆蓋情況、優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域。

A3M34SL039 61W Doherty功率放大器模塊頻率3.3-3.7GHz NXP恩智浦

2025-12-23 09:50:30

NXP半導(dǎo)體公司的A3M34SL039是一款面向5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施（如大規(guī)模MIMO、小基站）的高集成度Doherty功率放大器模塊，工作于3.3-3.7GHz頻段，提供8W平均功率、29.6dB增益和37.1%效率，采用10×8mm表貼封裝，集成自動(dòng)偏置控制、I2C接口和溫度傳感功能，通過(guò)數(shù)字線性化技術(shù)實(shí)現(xiàn)-31.6dBc鄰道泄漏比，支持-40℃至125℃工業(yè)環(huán)境應(yīng)用。

Broadcom PEX8696,PEX8680,PEX8664,PEX8649 PCIe Gen-2交換芯片

2025-12-23 09:46:24

Broadcom ExpressLane PEX-86xx系列是面向服務(wù)器、存儲(chǔ)和通信平臺(tái)的多主機(jī)PCIe Gen-2交換芯片組，提供96/80/64/48 lane四檔規(guī)格（對(duì)應(yīng)24/20/16/12端口），該系列通過(guò)PCIe 2.0（5GT/s）兼容設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于GPU擴(kuò)展背板、NVMe JBOF及電信冗余控制等高可靠性場(chǎng)景.

NCP3237工業(yè)級(jí)8A DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器Onsemi

2025-12-18 09:03:20

Onsemi NCP3237是安森美半導(dǎo)體推出的高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片，采用QFN18緊湊封裝（3.5mm×3.5mm），集成功率MOSFET，支持4.5-16V寬輸入范圍和0.6-12V可調(diào)輸出（±1%精度），單相可提供8A輸出電流，效率高達(dá)95%（12V轉(zhuǎn)3.3V時(shí)），開(kāi)關(guān)頻率可調(diào)（300kHz-1.2MHz），工作溫度覆蓋工業(yè)級(jí)-40°C至150°C，適用于通信設(shè)備、服務(wù)器/存儲(chǔ)系統(tǒng)和工業(yè)控制等空間受限的高性能電源管理場(chǎng)景。

Semelab D1028UK 300W射頻功率晶體管

2025-12-18 09:00:38

Semelab D1028UK是一款高性能DMOS工藝金屬柵極硅FET晶體管，關(guān)鍵參數(shù)包括28V工作電壓、438W最大功耗、70V漏源擊穿電壓及0.4°C/W優(yōu)異熱阻特性，特別適用于廣播通信、工業(yè)加熱和軍事射頻系統(tǒng)等高功率高頻應(yīng)用場(chǎng)景。

DATEL SB系列高隔離1/16磚型DC-DC轉(zhuǎn)換器

2025-12-16 09:22:21

DATEL SB系列采用十六分之一磚標(biāo)準(zhǔn)封裝（0.9×1.3×0.404英寸），提供4:1超寬輸入范圍（部分型號(hào)2:1）和2.5-15V精密穩(wěn)壓輸出，功率覆蓋50W（4:1輸入）至100W（多輸出）。符合EN60950等安規(guī)認(rèn)證，是航空航天、工業(yè)自動(dòng)化等嚴(yán)苛環(huán)境下高可靠性電源解決方案。

Rogers RO3210? 高頻層壓板電路材料：10.2介電常數(shù)

2025-12-15 09:29:53

RO3210?是Rogers公司RO3200?系列的陶瓷填充高頻電路材料，采用玻璃纖維編織增強(qiáng)，具備特定技術(shù)規(guī)格（如介電常數(shù)等多方面參數(shù)及對(duì)應(yīng)測(cè)試條件、方法）、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格（厚度、面板尺寸、銅箔選項(xiàng)），典型應(yīng)用于汽車(chē)電子、通信基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星通信、工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景。

DATEL數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC 8位到16位

2025-12-12 09:31:31

DATEL DAC 產(chǎn)品提供 高速、高精度、寬溫、軍工級(jí) 多種選擇，適用于從消費(fèi)級(jí)到航空航天級(jí)的廣泛需求。如需具體型號(hào)推薦，可進(jìn)一步提供應(yīng)用場(chǎng)景參數(shù)（如采樣率、溫度范圍等）。

Renesas瑞薩R7F122FGG3AFB-C,R7F125FPL3AFB-C車(chē)規(guī)級(jí)16位MCU

2025-12-11 10:07:08

瑞薩電子RL78/F22和F25系列是專(zhuān)為汽車(chē)電子和工業(yè)控制設(shè)計(jì)的高可靠性微控制器，具備超低功耗（1.8V~5.5V寬電壓）、高性能（40MHz主頻）和功能安全（ISO 26262 ASIL-B）特性。F22（128KB Flash）適用于經(jīng)濟(jì)型應(yīng)用如車(chē)燈控制，而F25（512KB Flash）支持CAN-FD和更復(fù)雜場(chǎng)景如車(chē)身控制模塊。全系集成硬件加密（AES/TRNG）、豐富外設(shè)（ADC/DAC/觸摸感應(yīng)），并提供完整開(kāi)發(fā)工具鏈，是汽車(chē)級(jí)嵌入式系統(tǒng)的理想選擇。

Marvell 88E6361單芯片8端口以太網(wǎng)交換機(jī)

2025-12-11 09:41:47

Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太網(wǎng)交換芯片，集成了5個(gè)10/100/1000Mbps PHY和3個(gè)高速SerDes接口（包含2個(gè)2.5G SerDes和1個(gè)可配置為2.5G SerDes或RGMII的接口）。特別適用于SMB交換機(jī)、工業(yè)網(wǎng)關(guān)和云管理交換機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)景。

210-0603,210-0508 MTI-MILLIREN 210系列OCXO 14 Pin DIP封裝

2025-12-10 09:14:19

MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對(duì)性能要求高的場(chǎng)景，具備低功耗（25°C時(shí)連續(xù)功耗≤0.70W）、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域包括STRATUM III、電信、微波無(wú)線電等。

DATEL DAC-1025SE 10位250MSPS高速DAC芯片

2025-12-09 09:02:59

DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采樣率的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)，專(zhuān)為高速信號(hào)處理而設(shè)計(jì)。它采用低功耗架構(gòu)，支持+3V至+5V單電源供電，內(nèi)置1.2V精密基準(zhǔn)電壓，并具備CMOS輸入鎖存功能，適用于醫(yī)療成像、通信基站、測(cè)試測(cè)量等高精度、高動(dòng)態(tài)范圍應(yīng)用場(chǎng)景。

Semelab RF功率MOSFET產(chǎn)品系列選型對(duì)比表

2025-12-08 09:39:15

Semelab（現(xiàn)屬TT Electronics）的RF功率MOSFET產(chǎn)品，具備0.52mΩ超低導(dǎo)通電阻（以D2000系列為例）、高增益（最高13dB）、寬頻帶（1MHz - 2GHz）及緊湊封裝（DP/SO8/DK等）特性，滿足VHF/UHF通信、廣播發(fā)射、工業(yè)加熱、汽車(chē)電子（需補(bǔ)充具體型號(hào)）等高頻高功率場(chǎng)景需求。

Onsemi NVMFWS系列汽車(chē)級(jí)低/中壓MOSFET

2025-12-08 09:34:37

Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101認(rèn)證的汽車(chē)級(jí)MOSFET，采用PowerTrench?技術(shù)實(shí)現(xiàn)0.52mΩ超低導(dǎo)通電阻和414A超高電流能力，搭配5×6mm2 SO-8FL緊湊封裝優(yōu)化布局空間。其低柵極電荷(Qg)設(shè)計(jì)提升開(kāi)關(guān)效率，并通過(guò)RoHS/無(wú)鹵素環(huán)保認(rèn)證，專(zhuān)攻新能源汽車(chē)（電機(jī)驅(qū)動(dòng)/OBC）、工業(yè)自動(dòng)化（伺服機(jī)器人）、電池管理（BMS）及高頻電源系統(tǒng)（同步整流）等高可靠性場(chǎng)景，滿足PPAP文檔要求。

onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET

2025-12-08 09:30:26

onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件，具有3.5mΩ超低導(dǎo)通電阻和119A大電流承載能力，采用緊湊型DFN5封裝（5x6mm）優(yōu)化空間占用，并通過(guò)3.5°C/W超低熱阻和軟體二極管恢復(fù)技術(shù)顯著提升散熱效率與開(kāi)關(guān)性能，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)（如電動(dòng)汽車(chē)）、同步整流及汽車(chē)/工業(yè)電源管理等場(chǎng)景

Vishay S222M33Z5UP6UK5R高壓陶瓷圓片電容1 kV~6 kV

2025-12-05 09:02:55

Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷單層直流圓片電容器系列，涵蓋1kVDC至6kVDC額定電壓及10pF-33nF電容范圍，適用于高壓濾波（測(cè)試電壓達(dá)額定值200%）、工業(yè)控制及醫(yī)療設(shè)備等場(chǎng)景。

Ampleon BLP981 170W LDMOS晶體管

2025-12-04 09:29:15

Ampleon BLP981 是一款高頻大功率 LDMOS 晶體管，專(zhuān)為廣播、航空電子等嚴(yán)苛應(yīng)用設(shè)計(jì)，工作頻率覆蓋 HF 至 1400 MHz，支持 170W 輸出功率，具備 23.8 dB 高增益和 73% 漏極效率（700 MHz 測(cè)試），集成 ESD 保護(hù)，可耐受 40:1 電壓駐波比的極端負(fù)載失配，采用 TO-270-2F-1 封裝（3 引腳帶散熱法蘭），符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，典型應(yīng)用于 DVB-T 發(fā)射機(jī)、機(jī)載通信和專(zhuān)業(yè)無(wú)線系統(tǒng)，最大結(jié)溫 225°C（需控制長(zhǎng)期高溫），工作電壓 108V。